摘要：
CT分析試驗(yàn)時(shí)如何設(shè)置參數(shù)，鼎升電力技術(shù)《CT分析試驗(yàn)時(shí)如何設(shè)置參數(shù)》、使用方法及，CT分析試驗(yàn)時(shí)如何設(shè)置參數(shù)來(lái)自于鼎升電力檢測(cè)試驗(yàn)技術(shù)，鼎升電力致立研發(fā)標(biāo)準(zhǔn)、穩(wěn)定、安全的電力試驗(yàn)設(shè)備。
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DGCT-T CT參數(shù)分析儀是按照IEC60044-1/GB1208, IEC60044-2GB1207，IEC60044-6/GB16847和IEEE C57.13設(shè)計(jì)的多功能
電流電壓互感器特性測(cè)試儀，
CT參數(shù)分析儀可以獲得電流電壓互感器的勵(lì)磁特性，勵(lì)磁參數(shù)，匝比，匝比誤差，極性線圈電阻等多種試驗(yàn)參數(shù)，被測(cè)電流互感器的最高拐點(diǎn)電壓可以達(dá)到8.4KV。
CT參數(shù)分析儀可進(jìn)行互感器的比差與角差校驗(yàn)，精度高達(dá)0.05%。
DGCT-T CT參數(shù)分析儀可對(duì)CT暫態(tài)特性測(cè)試與分析，并分析CT的暫態(tài)特性對(duì)繼電保護(hù)裝置的影響。
DGCT-T CT參數(shù)分析儀還可用于電壓互感器的PT勵(lì)磁特性試驗(yàn)，PT匝數(shù)比檢測(cè)，PT極性校驗(yàn)，PT二次繞組電阻測(cè)量，PT二次負(fù)荷測(cè)量。
CT分析試驗(yàn)時(shí)如何設(shè)置參數(shù)： CT分析試驗(yàn)項(xiàng)目的參數(shù)設(shè)置界面如圖所示。CT分析試驗(yàn)和比差角差試驗(yàn)的參數(shù)設(shè)置界面是一致的，比差角差試驗(yàn)所有需設(shè)置的參數(shù)項(xiàng)目在CT分析中也需要設(shè)置。
CT分析的參數(shù)設(shè)置分為2部分：與互感器等級(jí)相關(guān)的參數(shù)和與互感器等級(jí)無(wú)關(guān)的參數(shù)。其中表5.1描述了與互感器等級(jí)無(wú)關(guān)的各參數(shù)。表5.2至表5.8所列出的試驗(yàn)參數(shù)，是針對(duì)于不同等級(jí)的互感器需要額外配置的參數(shù)。
注意：當(dāng)互感器的飽和電壓大于8KV時(shí)，請(qǐng)?jiān)谙到y(tǒng)參數(shù)設(shè)置界面選擇人工設(shè)定勵(lì)磁試驗(yàn)飽和電壓，詳情見(jiàn)系統(tǒng)參數(shù)設(shè)置。
更多DGCT-T CT參數(shù)分析儀的詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)?jiān)L問(wèn)： http://m.29332.cn/709/
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